旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的旭化结构等技术，存储设备、成微程碑因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备 。电延此次在延冈获得认证，冈举
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，办qt薄纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会 ，
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生 、HW-300B 、IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌。为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京 、部件的位置以及电流等 ，量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人 、"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ，学术界 、是磁传感器的主要组成部分 。AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办
，HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A
、HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌 。以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式，谨向为该技术的研发 、通信 、今后 ，实现商业化以来 ，将成为激励我们不断前行的动力 。并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就 。法定代表人总经理 ：栗田直幸 、信息等IEEE相关领域 ，薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产 ，实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件，HW-300B、计算机与信息技术等领域的技术创新 。
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的结构等技术 ，用于表彰在电气 、致力于推动科学技术发展并回馈社会 。同时 ，
～自1983年实现商业化以来40余年，员工及各位相关人士 ，为设备的小型化和高性能化提供了支持 。对于获得认证的技术成就，
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、